`EMI吸收磁性材料
EMI吸收磁性材料采用高頻段具有良好阻抗特性的鐵氧體材料燒結而成,專用于抑制信號線、電源線上的噪聲和尖峰干擾,同時它具有吸收靜電脈沖能力,使電子設備達到電磁兼容(EMI/EMC)和靜電放電(ESD)的相應國家標準。
EMI吸收磁環/磁珠的吸收干擾能力是用其阻抗特性來表征的。它的阻抗特性基本形態見圖2-1。
在低頻段呈現非常低的感性阻抗值,不影響數據線或信號線上有用信號的傳輸。
圖2-1
|
在高頻段,約在10MHZ左右開始,阻抗增大,其感抗分量保持很小,電阻性分量卻迅速增加,當有高頻能量穿過磁性材料時,電阻分量就會把這些干擾能量轉化為熱能量耗散掉。吸收磁性材料正是利用了這一特性有效地吸收了EMI高頻干擾。
吸收磁性材料的性能,通常時比較25MHZ和100MHZ處的初阻抗值.
EMI吸收磁珠
EMI吸收磁珠專用于單根導線上干擾抑制,它具有兩種常用形式:單孔珠和多孔珠。
從干擾抑制效果上看,長單孔珠B62優于短單孔珠A62,多孔珠S62的效果最好,尤其在低頻端,雙單孔珠R62次之。規格尺寸見圖。

型號
|
A
|
B
|
C
|
D
|
電阻值(Ω)
|
25MHZ
|
50MHZ
|
100MHZ
|
12-A62
|
3.50±0.2
|
63.00
|
6.00±0.2
|
0.80±0.10
|
50
|
-
|
90
|
12-B62
|
3.50±0.2
|
63.00
|
9.00±0.3
|
0.80±0.10
|
70
|
-
|
120
|
12--R62
|
3.50±0.2
|
-
|
7.50±0.3
|
0.80
|
100
|
-
|
130
|
12-S62
|
5.00±0.2
|
0.85
|
10.00±0.4
|
3.5
|
320
|
680
|
580
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
注:線徑Φ0.50,S62為多孔珠,R62為雙珠。
EMI吸收磁環
專用于多股線纜上的干擾抑制,使用時可將一根多芯線纜穿于其中,多穿幾次可加強其效果,但應注意防止飽和。規格尺寸見圖。

尺寸規格 單位:mm
型號
|
A
|
B
|
C
|
阻抗值(Ω)
|
25MHZ
|
100MHZ
|
11-Z62
|
3.50±0.20
|
1.30±0.10
|
3.00±0.30
|
20
|
30
|
11-Z64
|
6.00±0.30
|
3.00±0.20
|
2.00±0.20
|
12
|
20
|
11-Z69
|
5.00±0.20
|
2.39±0.15
|
5.00±0.30
|
18
|
32
|
11-M245
|
9.50±0.30
|
5.80±0.20
|
10.4±0.30
|
44
|
61
|
11-M246
|
14.20±0.30
|
6.35±0.20
|
28.50±0.50
|
150
|
200
|
11-M248
|
17.50±0.30
|
9.50±0.30
|
28.50±0.50
|
100
|
150
|
11-M249
|
20.00±0.40
|
10.00±0.30
|
10.00±0.50
|
40
|
70
|
11-A625
|
25.00±0.50
|
15.00±0.30
|
12.00±0.40
|
50
|
80
|
11-A637
|
28.50±0.50
|
14.00±0.30
|
28.50±0.50
|
450
|
600
|
用同一種磁性材料制成不同型號的磁環、磁珠具有類似的特性,在條件允許的情況下,體積大的阻抗值會大。
帶安裝夾EMI吸收環
用于定型生產后設備EMI性能改進?煞奖悴鹦,在測試樣機和售后補救中非常方便適用。由于磁環體本身不封閉,所以性能與同體磁環比較略有下降。
型號
|
A
|
B
|
C
|
D
|
電阻值(Ω)
|
25MHZ
|
100MHZ
|
13-F065
|
19.5±0.5
|
19.00±0.50
|
6.5±0.40
|
32.0±1.0
|
170
|
350
|
13-F100
|
22.50±1.00
|
23.50±1.00
|
10.00±0.50
|
23.00±1.00
|
104
|
224
|
13-F130
|
31.5±1.0
|
30.00±1.00
|
13.5±0.50
|
33.0±1.0
|
130
|
300
|

EMI磁性端子
為了便于線路連接處的干擾能夠被有效抑制,接線端子型吸收磁環不僅解決了導線連接的問題,而且高效吸收導線上的高頻串擾。這種形式的磁環一般使用在PCB板上的電源入口處或者信號出、入口(應考慮信號頻率與磁性材料的吸收頻率的關系)。干擾抑制效果明顯,特別是對于多組線路出入的情況更是能夠有效的節省PCB板上的空間,非常適用于目前小型化和功能復雜的電子設備。
性能參數
型號
|
A
|
B
|
D
|
P1
|
P2
|
EC
|
F
|
插入損耗(Ω)
|
25MHZ
|
100MHZ
|
14-SMF11
|
7.6
|
5
|
10
|
2.54
|
2.54
|
0.65
|
5.0
|
200
|
245
|
14-SMF22
|
11
|
11
|
10
|
7.62
|
2.54
|
0.65
|
3.5
|
250
|
350
|
目前使用較為廣泛的如下兩種型號,結構圖如下:

表面貼裝(SMT)EMI元件
適應元器件的發展,EMI吸收磁環/珠夜游表面貼裝形式,其外形及尺寸見圖7,技術規格如下表:
型號
|
A
|
B
|
C
|
D
|
Rdc(mΩ)
|
插入損耗(Ω)
|
25MHZ
|
100MHZ
|
15-SMT1
|
3.05±0.15
|
1.45±0.1
|
2.55±0.15
|
4.05±0.25
|
0.6
|
30
|
56
|
15-SMT2
|
3.05±0.15
|
1.45±0.1
|
2.55±0.15
|
8.5±0.3
|
0.9
|
30
|
56
|
連接器用EMI磁片
用于連接器上EMI干擾的抑制,具有空間要求小、多孔抑制、安裝方便等多種優點,但需與專用連接器配合使用。
目前標準產品為9芯、15芯和25芯。

技術規格
型號
|
A
|
B
|
C
|
D
|
電阻值(Ω)
|
25MHZ 100MHZ
|
16—9C
|
14.5±0.2
|
7.6±0.2
|
1.57±0.1
|
1.8±0.1
|
23
|
43
|
16—15C
|
22.5±0.3
|
7.6±0.2
|
1.57±0.1
|
1.8±0.1
|
40
|
60
|
16—25C
|
36.4±0.4
|
7.6±0.2
|
1.57±0.1
|
1.8±0.1
|
24
|
45
|
扁平吸收磁環
專為扁平電纜而設計,具有多種規格,以適應不同的芯線數。特殊規格請查詢。
型號
|
A
|
B
|
C
|
D
|
E
|
電阻值(Ω)
|
25MHZ 100MHZ
|
17—B15C
|
23.8±0 8
|
6.3±0.5
|
19.5±0.5
|
15.0±0.7
|
1.1±0.2
|
40
|
100
|
17—B20C
|
33.5±1 0
|
6.3±0.3
|
27.0±0.4
|
15.0±0.3
|
1.4±0.2
|
25
|
70
|
17—B25C
|
40 0±1.0
|
6.3±0.3
|
35.0±1.0
|
12.0±0.5
|
1.3±0.3
|
30
|
80
|
17—B35C
|
64.0±1 0
|
13.0±0.3
|
52.5±0.5
|
12.0±0.4
|
1.6±0.3
|
32
|
100
|

|